AI热潮引爆存储芯片市场
近期，多国芯片巨头陆续上调产品报价。过去半年中，全球存储芯片价格持续走高，尤其是近一个月以来，涨价信息更为密集。
不完全统计显示：
- 9月下旬，三星电子发布第四季度价格调整通知，计划将部分DRAM产品价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。
- NAND闪存控制芯片大厂群联近日恢复报价，涨幅约为10%。
- 9月16日，西部数据将逐步上调所有HDD（机械硬盘）产品价格。
- 9月上旬，闪迪宣布对NAND产品价格上调10%以上。
本轮涨价涉及的存储芯片主要涵盖DRAM与NAND两类：DRAM为易失性存储器，读取速度快但断电后数据不保存，近期备受关注的HBM也属此类；NAND属于非易失性存储，断电后数据可长期保存，多用于存储大量数据及模型参数，常见于SSD、HDD等设备。
摩根士丹利最新研报预测，在人工智能热潮推动下，存储芯片行业有望迎来“超级周期”。10月1日，OpenAI与三星电子、SK海力士达成初步供货协议，两家韩企将为“星际之门”（Stargate）项目供应存储芯片。韩国总统办公室透露，OpenAI计划在2029年前采购90万片存储芯片晶圆。
SK海力士在公告中指出，该需求预测相当于当前全球HBM产能的两倍以上，反映出“星际之门”项目规模之大及全球AI发展的迅猛态势。
进一步分析显示，在DRAM及HBM价格高企、供应趋紧的背景下，NAND有望成为AI时代的主流存储选择。
据了解，三星电子已启动HBF高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作。HBF是一种类似HBM、专为AI设计的新型存储架构，其特点在于采用NAND闪存替代DRAM。有“HBM之父”之称的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩表示，当前AI的瓶颈在于内存带宽和容量，速度略低但容量更大的NAND闪存可作补充。
摩根士丹利预计，到2026年NAND闪存可能出现高达8%的供应缺口。
群联电子董事长潘健成近日在接受采访时指出，SSD将逐步成为大容量存储的主流，但目前SSD与HDD的市场占比约为2：8。由于SSD新增产能不足，预计从2026年起NAND闪存将出现严重短缺，未来十年供应都将持续紧张。
当前，NAND Flash的价格涨幅已超过DRAM。据CFM闪存市场报价，2025年第三季度NAND Flash市场综合价格指数上涨25%，DRAM指数上涨19.2%；仅9月单月，NAND Flash指数上涨4.7%，DRAM指数上涨2.6%。
展望未来，TrendForce预计2025年第四季度NAND Flash价格将继续上涨5–10%。中信证券分析认为，后续数据中心eSSD的涨价幅度可能超出市场预期，2026年大容量QLC SSD有望迎来爆发式增长。
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