功率半导体迎涨价拐点，AI与储能驱动行业上行
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一、核心逻辑功率半导体行业正迎来“价格+需求”双击拐点：在原材料（硅片、金属、气体）持续涨价与8英寸成熟制程产能全面吃紧的双重压力下，中芯国际已率先对8英寸BCD平台提价10%，多家功率IDM与Fabless厂商同步发布MOSFET涨价函，行业价格回暖趋势正式确立。与此同时，富昌电子2025Q4报告显示，海外英飞凌、安森美等大厂MOS/IGBT交期普遍延长至30–52周，需求持续饱满，库存已降至历 ...
一、核心逻辑
功率半导体行业正迎来“价格+需求”双击拐点：在原材料（硅片、金属、气体）持续涨价与8英寸成熟制程产能全面吃紧的双重压力下，中芯国际已率先对8英寸BCD平台提价10%，多家功率IDM与Fabless厂商同步发布MOSFET涨价函，行业价格回暖趋势正式确立。与此同时，富昌电子2025Q4报告显示，海外英飞凌、安森美等大厂MOS/IGBT交期普遍延长至30–52周，需求持续饱满，库存已降至历史低位。叠加AI数据中心（高压直流供电、液冷电源）、储能（光储逆变器、PCS）、新能源车（OBC、DC-DC）三大高景气下游驱动，功率行业自2023年下行周期后，2026年起有望正式转入上行通道，进入“量稳价升、盈利修复”的新阶段。
1. 供给端：成熟制程产能刚性，涨价传导顺畅
- 8英寸晶圆产能满载：全球8英寸产线扩产停滞，中芯、华虹等代工厂优先保障功率/BCD工艺；
- 原材料成本上行：硅片、铜、铝、特种气体价格2025年累计涨幅15%–25%，fab端成本压力显著；
- 涨价落地确定性高：中芯国际BCD平台已涨10%，功率厂商跟进提价，2026Q1起ASP与毛利率将逐季改善。
2. 需求端：AI+储能双轮驱动，结构性高增长
- AI数据中心：单台AI服务器功率模块用量是通用服务器3倍以上，48V/12V多相VRM、GaN快充需求激增；
- 储能爆发：全球户用/大储装机2026年预计超1TWh，每GW储能需IGBT/MOS价值约8亿元；
- 新能源车渗透率提升：800V高压平台普及推动SiC/GaN与高压MOS需求，单车功率器件价值量提升30%+。
3. 库存周期：全链路去库完成，补库启动在即
- 功率器件渠道库存2025Q3见底，2025Q4起终端客户开始小批量补库；
- 海外大厂交期拉长，反映真实需求强劲，非短期扰动。
二、机会梳理（聚焦核心A股上市公司）
▶ MOSFET核心厂商（受益于涨价+AI/储能需求）
- 新洁能：
- 超结MOS国内龙头，产品用于服务器电源、光伏逆变器；
- 自建8英寸产线，成本可控，涨价弹性最大。
- 东微半导：
- GreenMOS技术领先，用于高端快充、数据中心电源；
- 绑定华为、小米、英伟达供应链，2026年H1有望切入AI服务器。
- 华润微：
- IDM模式，8英寸产线满载，BCD工艺覆盖MOS/IGBT；
- G5-IPM模块已大批量供货空调、伺服电机，工业需求稳健。
- 士兰微：
- 12英寸产线投产，MOS/IGBT协同放量；
- 车规级MOS通过比亚迪、蔚来认证，2026年车用收入占比目标30%。
- 捷捷微电：
- 晶闸管+MOS双轮驱动，光伏/充电桩客户占比超50%；
- 定增扩产顺利，2026年产能释放匹配需求高峰。
- 扬杰科技：
- 全品类功率器件，MOS/IGBT/SiC齐备；
- 海外收入占比40%+，受益于全球缺货涨价。
- 芯联集成：
- 中芯系MEMS+功率代工平台，BCD工艺成熟；
- 为多家Fabless提供MOS代工，直接受益于fab涨价。
- 闻泰科技：
- 安世半导体并表，全球MOS前十；
- 车规MOS市占率快速提升，绑定Bosch、Tesla。
- 宏微科技：
- 虽以IGBT为主，但MOS产品线同步放量，用于光伏微型逆变器；
- 技术平台可复用，弹性可观。
▶ IGBT核心厂商（储能+车用双驱动）
- 斯达半导：
- 国内IGBT模块龙头，市占率超20%；
- 车规IGBT模块批量供应蔚来、小鹏，储能IGBT进入阳光电源、华为供应链。
- 时代电气：
- 轨交+新能源双轮驱动，750V/1200V IGBT用于大储PCS；
- 自建8英寸产线，成本优势显著。
- 宏微科技：
- 单管IGBT国内领先，光伏/储能客户全覆盖；
- 新产线2026年H1投产，产能翻倍。
- 士兰微、扬杰科技：
- 同时布局MOS与IGBT，双赛道受益，抗周期能力强。
▶ 上游材料与设备（涨价传导受益）
- 华海清科：
- CMP设备用于功率器件平坦化，8英寸产线扩产拉动设备需求。
- 北方华创：
- 刻蚀、PVD设备用于MOS沟槽工艺，绑定中芯、华润微。
- 安集科技：
- 抛光液用于功率器件制造，国产替代加速。
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