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存储行业景气上行,台湾厂商11月营收大增,2026年供应更紧

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核心内容台湾存储厂商11月营收高增:利基型DRAM厂商:华邦电(86亿新台币,yoy+39%)、南亚科(102亿新台币,yoy+365%),均创历年同期新高;存储模组厂:威刚(56亿,yoy+60%+)、十铨(16亿,yoy+79%),QoQ亦大幅增长。核心驱动逻辑:原厂产能转向DDR5/HBM,导致DDR4供给持续紧张,价格强势上涨,预计短缺将持续至2026年底;存储器整体报价在11月显著上扬, ...

核心内容

  1. 台湾存储厂商11月营收高增:
  • 利基型DRAM厂商:华邦电(86亿新台币,yoy+39%)、南亚科(102亿新台币,yoy+365%),均创历年同期新高;
  • 存储模组厂:威刚(56亿,yoy+60%+)、十铨(16亿,yoy+79%),QoQ亦大幅增长。
  1. 核心驱动逻辑:
  • 原厂产能转向DDR5/HBM,导致DDR4供给持续紧张,价格强势上涨,预计短缺将持续至2026年底;
  • 存储器整体报价在11月显著上扬,模组厂通过稳定供货+主动补库存抢占份额,并预期2026年供应更紧,进一步提升库存目标。
  1. 行业判断:存储行业已进入超级大周期,供需错配、技术迭代(DDR4→DDR5/HBM)、AI服务器放量共同推动景气度上行。
  2. 投资主线聚焦三类标的:
  • 存储模组公司:直接受益于价格上涨与出货量提升;
  • 长鑫存储产业链:国产替代加速,设备/材料/制造环节全面受益;
  • 存储芯片设计公司:NOR Flash、DDR接口、EEPROM等细分领域龙头。

存储模组公司

  • 德明利
  • 核心产品:SSD主控芯片+模组一体化,聚焦消费级与工规级市场。
  • 业务弹性:NAND Flash涨价直接增厚模组毛利,2025Q4起订单饱满,2026年产能利用率有望达90%+。
  • 客户进展:已进入联想、华为、海康威视供应链,DDR5/eSSD方案加速导入。
  • 江波龙
  • 核心地位:国内存储模组龙头,Lexar(雷克沙)+FORESEE双品牌布局。
  • 产品结构:DRAM模组占比提升,2026年HBM配套模组有望小批量出货。
  • 盈利修复:2024年亏损收窄,2025Q4起随存储涨价实现单季盈利,2026年利润弹性大。
  • 香农芯创
  • 角色:存储模组分销+自研主控协同,深度绑定长江存储、长鑫存储。
  • 增长逻辑:作为长鑫生态核心伙伴,DDR4模组出货量快速提升,2026年有望切入服务器模组市场。
  • 佰维存储
  • 核心优势:具备先进封测能力(SiP、PoP),支持HBM/DDR5模组开发。
  • 客户覆盖:华为、中兴、浪潮等,2025年获国产服务器模组大单。
  • 技术壁垒:是国内少数能提供宽温、高可靠工业级DRAM模组的厂商。

长鑫存储产业链(国产DRAM制造链)

  • 兆易创新
  • 核心产品:NOR Flash全球前三,同时布局DRAM(19nm DDR4已量产)。
  • 长鑫协同:与长鑫深度合作,共享IP与产能,是国产DRAM设计核心平台。
  • 弹性空间:DDR4涨价+国产替代加速,2026年DRAM收入占比有望超30%。
  • 晶合集成
  • 角色:国内12英寸晶圆代工厂,长鑫DRAM主要代工方之一。
  • 产能规划:2026年DRAM代工产能扩至8万片/月,满产满销下利润弹性显著。
  • 客户粘性:长鑫为第一大客户,订单可见性强。
  • 拓荆科技
  • 核心产品:薄膜沉积设备(PECVD、ALD),用于DRAM前道制造。
  • 国产替代:已进入长鑫、长江存储供应链,2025年DRAM设备订单占比超40%。
  • 技术壁垒:ALD设备为HBM关键工艺,2026年将受益于HBM扩产。
  • 中微公司
  • 核心产品:刻蚀设备,用于DRAM深沟槽电容与接触孔工艺。
  • 客户进展:长鑫产线已批量采用其CCP刻蚀机,2026年订单有望翻倍。
  • 估值支撑:设备验证周期长,一旦导入即具高粘性。
  • 精智达
  • 核心产品:存储芯片测试设备,覆盖DRAM、NAND功能与老化测试。
  • 稀缺性:国内唯一可对标Advantest的存储测试设备商,长鑫核心供应商。
  • 订单弹性:2026年长鑫扩产将带动测试设备需求增长50%+。
  • 汇成股份
  • 角色:先进封装(凸点、重布线)服务商,专注显示驱动与存储芯片。
  • DRAM延伸:正开发DDR5/HBM封装工艺,2026年有望切入长鑫封测链。
  • 产能爬坡:合肥新厂2025Q4投产,支撑存储封测放量。
  • 深科技
  • 核心业务:旗下沛顿科技为国内领先存储封测厂,具备DDR4/DDR5封测能力。
  • 客户覆盖:长鑫、兆易创新、三星等,2026年HBM封测技术有望突破。
  • 盈利弹性:封测单价随DDR5/HBM升级提升30%+。

存储芯片设计公司

  • 普冉股份
  • 核心产品:NOR Flash、EEPROM,聚焦低功耗消费电子。
  • 技术升级:40nm NOR已量产,成本优势显著,2026年车规级EEPROM放量。
  • 客户粘性:华为、小米、OPPO核心供应商,库存回补驱动Q4业绩回升。
  • 澜起科技
  • 核心地位:全球内存接口芯片龙头,DDR5 RCD/DB芯片市占率超40%。
  • AI驱动:DDR5渗透率加速提升,2026年津逮服务器CPU+内存模组协同放量。
  • 估值弹性:当前PE约40倍,若DDR5价格上行,利润有望超预期。
  • 聚辰股份
  • 核心产品:EEPROM全球前三,车规级占比超50%。
  • 增长逻辑:汽车智能化推动EEPROM用量提升(每车20–30颗),2026年车用收入占比将达60%。
  • 盈利稳定:毛利率超50%,抗周期波动能力强。
  • 东芯股份
  • 核心产品:中小容量NAND/NOR/DRAM,聚焦工控、通信市场。
  • 国产替代:已进入中兴、烽火通信供应链,2026年自研1xnm NAND有望量产。
  • 弹性空间:存储涨价直接改善毛利率,2025Q4起扭亏为盈。
  • 恒烁股份
  • 核心进展:NOR Flash+MCU双轮驱动,50nm NOR已量产。
  • 技术延伸:正在研发存算一体芯片(基于NOR),长期具备AI边缘潜力。
  • 风险提示:当前仍处亏损,需跟踪新品放量进度。
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