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中国SiC产业崛起:抢占AI芯片核心赛道,A股龙头迎历史性机遇

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核心内容技术突破与市场机遇:中国碳化硅(SiC)产业正实现从跟随到引领的关键跨越,天岳先进等头部企业率先布局12英寸SiC衬底,旨在抢占AR眼镜微显示和CoWoS先进封装中介层两大高增长新兴市场。需求爆发式增长:根据测算,仅CoWoS中介层需求,到2030年将需要超过230万片12英寸SiC衬底(等效920万片6英寸)。这一需求规模数倍于2025年全球SiC衬底的总供给能力,将彻底改变行业供需格局 ...

核心内容

  • 技术突破与市场机遇:中国碳化硅(SiC)产业正实现从跟随到引领的关键跨越,天岳先进等头部企业率先布局12英寸SiC衬底,旨在抢占AR眼镜微显示CoWoS先进封装中介层两大高增长新兴市场。
  • 需求爆发式增长:根据测算,仅CoWoS中介层需求,到2030年将需要超过230万片12英寸SiC衬底(等效920万片6英寸)。这一需求规模数倍于2025年全球SiC衬底的总供给能力,将彻底改变行业供需格局。
  • 产业链价值巨大:仅CoWoS中介层市场,预计将催生超200亿元的长晶设备需求近500亿元的衬底市场需求。SiC材料有望使中国产业链首次主导AI算力芯片最核心的环节

SiC产业链深度解析与A股上市公司分析

此次SiC产业的机遇,本质上是材料端的颠覆性创新切入高算力芯片的瓶颈环节所带来的历史性机会。其核心逻辑在于,随着AI算力芯片功耗和集成度飙升,传统硅基中介层在散热、高频性能等方面逐渐达到物理极限。而SiC材料凭借其极高的热导率、宽禁带特性以及与硅相近的晶格常数,成为理想替代方案。这不仅是一个简单的材料替代,更是从源头上为下一代更高性能、更高集成度的芯片提供了基础性的平台解决方案。对中国产业而言,这是在半导体领域难得的、凭借材料领域的领先优势反向定义下游高端应用规则的战略机遇。A股投资应聚焦于在 “衬底制备、关键设备、器件应用”​ 等核心环节具备核心技术、量产能力并已切入头部客户供应链的龙头企业。

一、SiC衬底(产业链价值核心,技术壁垒最高)

衬底是SiC产业链的基石,直接决定了后续外延和器件的性能,是技术壁垒和成本占比最高的环节。

  • 天岳先进:国内半绝缘型SiC衬底龙头,已成功研发出12英寸衬底,并瞄准CoWoS中介层和AR微显示等高端市场,是本次产业突破的核心牵头者和最直接受益者
  • 天科合达(未上市):国内导电型SiC衬底重要供应商,技术实力雄厚。
  • 三安光电:旗下湖南三安致力于SiC全产业链布局,是衬底、外延、器件一体化的重要参与者。

二、SiC材料制备设备(产能扩张的“卖水人”)

SiC衬底的长晶和加工设备技术壁垒高,设备厂商将优先受益于全球范围内的产线建设潮。

  • 晶盛机电:国内晶体生长设备龙头,其SiC长晶炉已实现批量销售,并自身也在推进SiC衬底产业化。
  • 晶升股份:半导体级晶体生长设备供应商,产品包括SiC长晶炉。
  • 宇晶股份:精密数控机床供应商,产品可用于SiC等硬脆材料的切割、研磨、抛光。

三、SiC器件与模块(技术应用的实现者)

衬底最终需要通过外延、制造成为器件,才能在电路中发挥作用。

  • 斯达半导:国内IGBT模块龙头,积极布局SiC功率器件,并已实现批量供货。
  • 时代电气:轨道交通功率器件龙头,在高压SiC器件领域有深厚积累。
  • 华润微:本土领先的功率IDM企业,拥有SiC器件制造能力。

四、相关配套与材料

  • 导热材料中石科技碳元科技等公司产品可用于解决高功率密度下的散热问题。
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