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闪迪投资者日释放关键信号:NBM、HBF重塑存储格局,多梯队企业迎机遇!

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闪迪投资者日深度点评(一 / 二 / 三标准结构,适配投研汇报)一、核心事件关键信息闪迪投资者日释放两大核心变量:NBM 长约锁定远期需求 + HBF 新型存储瞄准 AI 推理 KV Cache 赛道,同时发布 FY2028-FY2030 长期经营目标。 1、长期财务目标 营收跟随 NAND 位元出货量实现中高双位数增长;Non-GAAP 毛利率中枢 80%、营业利润率 75%,调整后自由现金流利 ...

闪迪投资者日深度点评(一 / 二 / 三标准结构,适配投研汇报)

一、核心事件关键信息

闪迪投资者日释放两大核心变量:NBM 长约锁定远期需求 + HBF 新型存储瞄准 AI 推理 KV Cache 赛道,同时发布 FY2028-FY2030 长期经营目标。

1、长期财务目标 营收跟随 NAND 位元出货量实现中高双位数增长;Non-GAAP 毛利率中枢 80%、营业利润率 75%,调整后自由现金流利润率 50%;资本开支完成后,剩余全部现金回馈股东。盈利目标显著高于传统闪存周期性盈利水平。

2、NBM 长期供货协议进展 已和 8 家数据中心、边缘计算客户完成签约;协议加权平均期限超 4 年,最长 5 年;协议保底收入 939 亿美元,剩余履约订单 RPO 911 亿美元,配套 165 亿美元金融担保;订单覆盖 FY2027 约 50%、FY2028 约 2/3 的位元出货量。

3、HBF 新技术路线(AI 推理专属存储) 依托 CBA 二维扩展 + HBF 打造推理存储产品矩阵;初代 HBF 采用 16-die 堆叠,单堆栈容量 512GB,读取带宽 1.6TB/s;规划 2026 年底送样、2027 年初推出推理设备样品。

定位:处于 HBM 与企业 SSD 之间全新存储层级,平衡容量、带宽、功耗,直击 AI 推理 KV Cache 海量参数读取需求。公司测算 2030 年企业数据中心闪存 TAM 达到 1.2ZB,KV Cache 将占据 AI 数据中心 NAND 负载 35%。

二、核心产业投资逻辑

1、NBM 协议根本性重塑 NAND 周期属性 过往 NAND 价格受现货供需剧烈波动,行业周期性极强;大规模多年锁价长单落地,将一部分闪存需求从现货市场剥离,平滑原厂稼动率与盈利波动。需求确定性大幅抬升,弱化闪存 “强周期” 标签,存储板块估值体系存在重估空间。

2、AI 算力结构变化拉动存储增量,推理市场成为新增长极 结合此前 “训练西迁、推理东沉”、AI 智能体驱动 CPU/GPU 配比向 1:1 演进逻辑:大模型训练消耗 HBM,大规模推理集群持续扩容催生海量 KV Cache,高容量、适中带宽的新型闪存需求爆发。HBF 精准匹配推理场景,打开 NAND 成长第二曲线,不再单纯依靠传统消费电子需求。

3、盈利预期指引向上,验证存储供需格局持续优化 80% 毛利率目标建立在供给自律 + AI 企业级需求持续扩张两大前提下,原厂具备更强定价权;充裕自由现金流将支撑资本回报,改善市场对存储厂商盈利持续性的预期。 4、自上而下传导:存储景气向上拉动设备、零部件、材料全产业链 闪存原厂资本开支预期企稳回升;NAND 先进堆叠工艺迭代(CBA、HBF)带来刻蚀、薄膜、量测、清洗设备增量;上游靶材、特气、光刻配套材料同步受益;利基存储芯片受益算力、车载、工控需求持续放量。

三、分梯队受益赛道与标的(亮点 + 客户 + 订单)

第一梯队:存储原厂 & 利基存储芯片(需求端直接受益★★★★★)

海外原厂:美光、西部数据(闪迪)、铠侠、三星、SK 海力士、长鑫存储

  • 亮点:NAND 核心供给方,NBM 长约模式有望行业推广;AI 企业级 SSD、新型 HBF 存储载体;
  • 逻辑:订单能见度提升,价格下行风险收敛。

兆易创新

  • 亮点:NOR Flash 龙头,配套 AI 板卡、边缘推理设备;布局 DRAM、企业级存储方案;
  • 客户:服务器、工控、消费、算力硬件厂商;
  • 订单:AI 硬件 NOR 需求持续提升。

北京君正、东芯股份、普冉股份、聚辰股份

  • 亮点:DRAM、EEPROM、SPI Flash 利基赛道,适配边缘推理、AI 服务器内存配套;
  • 客户:算力整机、模组厂商;
  • 订单:AI 服务器、智能硬件相关需求稳步增长。

第二梯队:半导体设备(存储工艺迭代核心受益★★★★☆)

拓荆科技

  • 亮点:薄膜沉积设备,适配 NAND 多层堆叠工艺;

中微公司、北方华创

  • 亮点:刻蚀、沉积设备,3D NAND 持续扩产与工艺升级刚需;

华海清科

  • 亮点:CMP 设备,存储晶圆制造必备;

精测电子、中科飞测

  • 亮点:量测、检测设备,先进存储良率管控核心;

屹唐股份、芯源微、联动科技

  • 亮点:清洗、涂胶、后道测试设备,配套 3D NAND 产线扩建。

第三梯队:设备零部件 & 半导体材料(耗材持续兑现★★★★)

富创精密、江丰电子

  • 亮点:设备精密零部件、靶材龙头,存储产线扩产直接拉动耗材需求;

正帆科技、新莱应材

  • 亮点:真空管路、特气输送系统;

鼎龙股份、上海新阳、安集科技、路维光电、清溢光电

  • 亮点:光刻胶、抛光液、湿电子化学品、光掩膜版,存储晶圆制造核心材料。

第四梯队:晶圆代工与封测(存储芯片配套环节★★★☆)

深科技

  • 亮点:存储芯片封测龙头,SSD、企业级存储模组封测;

长电科技、通富微电、华天科技

  • 亮点:支持存储、算力芯片先进封测;

中芯国际、华虹公司

  • 亮点:利基存储芯片晶圆代工。

四、时间轴推演

  1. 短期(2026 下半年) NBM 订单持续落地扩容,市场交易 “存储周期弱化、盈利韧性增强” 预期;HBF 进入送样阶段,主题催化不断。
  2. 中期(2027 年) HBF 推理存储设备小规模商用,KV Cache 需求持续兑现;叠加全球推理算力集群集中建设,企业级闪存需求持续上行。
  3. 长期(2028–2030) NBM 长约模式普及,AI 推理存储市场规模持续扩张,存储原厂有望维持高位利润率,带动上下游资本开支稳步上行。

五、核心风险提示

  1. HBF 商业化落地进度慢于预期,下游云厂商采购意愿不及预期;
  2. 海外存储原厂新增产能集中释放,NAND 现货价格再度承压;
  3. AI 智能体、推理算力资本开支放缓,KV Cache 需求增长低于测算;
  4. 地缘因素影响海外存储厂商对华供货与订单落地。
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