杰富瑞研报:DRAM迎超级涨价周期,储产业链分层受益
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杰富瑞存储涨价研报完整解读:DRAM 进入超级涨价周期,2028 年前供需偏紧一、机构核心价格预测(DRAM 内存)季度涨价节奏2026 Q3:环比大涨 40%~50%2026 Q4:环比续涨 30%~40%2027 全年:均价同比上涨 40%~45%价格拐点:2028 年才有望迎来价格回落;届时新增 15%~20% 产能投产,但 AI 需求旺盛或对冲新增供给,跌幅有限核心供需底层逻辑供给收缩主动 ...
杰富瑞存储涨价研报完整解读:DRAM 进入超级涨价周期,2028 年前供需偏紧
一、机构核心价格预测(DRAM 内存)
季度涨价节奏
- 2026 Q3:环比大涨 40%~50%
- 2026 Q4:环比续涨 30%~40%
- 2027 全年:均价同比上涨 40%~45%
- 价格拐点:2028 年才有望迎来价格回落;届时新增 15%~20% 产能投产,但 AI 需求旺盛或对冲新增供给,跌幅有限
核心供需底层逻辑
- 供给收缩主动控产 三星、SK 海力士、美光三大海外原厂持续缩减资本开支、放缓扩产节奏,削减成熟制程 DRAM 投片量;长鑫存储短期产能释放力度不及市场乐观预期,所谓 “廉价中国内存” 难以快速冲击全球定价体系。
- 大厂锁长单挤压消费端供给 头部云厂商与存储原厂签订长期包销协议,当前长单已锁定全球总产能50%,美光 16 家战略客户签约比例后续或抬升至 70%;服务器 HBM、DDR5 订单优先排产,PC、手机、消费电子内存货源被挤压,全面推升现货涨价动力。
- AI 算力爆发拉动结构性紧缺 英伟达 Rubin 等新一代 AI 单机柜 HBM+DDR 内存用量大幅攀升,存储成为 VR200 整机第二大成本项,算力存储需求增速持续碾压新增供给,拉长景气上行周期。
- 制程迭代抬升制造成本 DRAM 先进节点微缩难度陡增,良率爬坡缓慢,单位晶圆生产成本上行,原厂具备持续提价底气。
额外行业热点:苹果寻求导入长鑫存储
苹果正在游说美方将长鑫存储移出实体清单,计划在 iPhone 18 Pro 机型导入国产 DRAM;当前全球内存涨价下苹果高端机型存储成本近乎翻倍,导入长鑫用于分散供应链风险、对冲涨价压力;报告判断 2026-2027 年长鑫难以撼动全球存储定价格局,2028 年大规模扩产之后才具备全球竞争力。
二、A 股存储产业链分层受益标的(涨价弹性排序)
1、存储芯片设计 & 原厂(业绩弹性最大)
- 兆易创新:国内 DRAM、NOR Flash 设计龙头,现货库存充足,涨价周期产品 ASP 持续上行,深度绑定服务器、消费电子客户,直接受益涨价红利;同步布局车规、算力存储配套。
- 北京君正:DRAM 模组 + 存储芯片双布局,工业级、车规级存储溢价更强,下游客户分散,量价齐升确定性高。
- 深科技:长鑫存储核心封测代工厂,深度绑定国内 DRAM 原厂产能,封测稼动率持续拉满,产能利用率上行叠加封测提价双重收益。
2、存储模组厂商(贸易 + 库存增值)
- 江波龙:企业级、消费级内存条、SSD 龙头,海内外渠道完善,自有库存随涨价重估,服务器存储模组订单快速放量。
- 佰维存储:AI 服务器、工控存储小模组配套厂商,小批量高端产品溢价能力更强。
- 朗科科技:存储模组 + 闪存盘现货贸易,库存增值弹性突出。
3、存储上游材料 & 设备(长鑫扩产资本开支受益)
- 雅克科技:HBM 配套光刻配套材料、电子特气,长鑫、三星、海力士核心供应商,存储扩产持续拉动订单。
- 安集科技:CMP 抛光液,DRAM 先进制程必备耗材。
- 万润股份、鼎龙股份:光刻配套、电子化学品配套存储晶圆制造。
- 北方华创、中微公司:刻蚀、薄膜设备,长鑫后续扩产 CAPEX 核心受益。
4、HBM 高附加值配套(算力存储核心增量)
- 香农芯创:SK 海力士国内总代理,HBM、高端 DRAM 分销龙头,深度受益 AI 服务器存储紧缺行情。
- 华海诚科:HBM 封装专用 GMC 环氧塑封料,HBM 堆叠封装刚需材料。
三、行情节奏预判
- 短期(2026 Q3):现货涨价落地,存储模组、芯片设计标的迎来戴维斯双击,库存重估 + 产品提价兑现利润;
- 中期(2026 Q4-2027 全年):涨价趋势延续,上游设备、材料受益长鑫逆周期扩产逻辑;HBM 高附加值产品持续放量,算力存储细分超额收益更强;
- 长期(2028 年):新增产能释放,行业景气度边际放缓,龙头集中度进一步提升。
四、核心风险提示
- 三大存储原厂大幅重启扩产,供给超预期缓解,打断涨价周期;
- AI 资本开支不及预期,服务器存储需求走弱;
- 地缘政策变动,长鑫存储产能释放节奏大幅变化;
- 消费电子终端需求持续低迷,下游客户主动去库存,压制现货涨价幅度。
🏷️ 存储芯片
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