杰富瑞研报：DRAM迎超级涨价周期，储产业链分层受益
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杰富瑞存储涨价研报完整解读：DRAM 进入超级涨价周期，2028 年前供需偏紧一、机构核心价格预测（DRAM 内存）季度涨价节奏2026 Q3：环比大涨 40%~50%2026 Q4：环比续涨 30%~40%2027 全年：均价同比上涨 40%~45%价格拐点：2028 年才有望迎来价格回落；届时新增 15%~20% 产能投产，但 AI 需求旺盛或对冲新增供给，跌幅有限核心供需底层逻辑供给收缩主动 ...
杰富瑞存储涨价研报完整解读：DRAM 进入超级涨价周期，2028 年前供需偏紧
一、机构核心价格预测（DRAM 内存）
季度涨价节奏
- 2026 Q3：环比大涨 40%~50%
- 2026 Q4：环比续涨 30%~40%
- 2027 全年：均价同比上涨 40%~45%
- 价格拐点：2028 年才有望迎来价格回落；届时新增 15%~20% 产能投产，但 AI 需求旺盛或对冲新增供给，跌幅有限
核心供需底层逻辑
- 供给收缩主动控产 三星、SK 海力士、美光三大海外原厂持续缩减资本开支、放缓扩产节奏，削减成熟制程 DRAM 投片量；长鑫存储短期产能释放力度不及市场乐观预期，所谓 “廉价中国内存” 难以快速冲击全球定价体系。
- 大厂锁长单挤压消费端供给 头部云厂商与存储原厂签订长期包销协议，当前长单已锁定全球总产能50%，美光 16 家战略客户签约比例后续或抬升至 70%；服务器 HBM、DDR5 订单优先排产，PC、手机、消费电子内存货源被挤压，全面推升现货涨价动力。
- AI 算力爆发拉动结构性紧缺 英伟达 Rubin 等新一代 AI 单机柜 HBM+DDR 内存用量大幅攀升，存储成为 VR200 整机第二大成本项，算力存储需求增速持续碾压新增供给，拉长景气上行周期。
- 制程迭代抬升制造成本 DRAM 先进节点微缩难度陡增，良率爬坡缓慢，单位晶圆生产成本上行，原厂具备持续提价底气。
额外行业热点：苹果寻求导入长鑫存储
苹果正在游说美方将长鑫存储移出实体清单，计划在 iPhone 18 Pro 机型导入国产 DRAM；当前全球内存涨价下苹果高端机型存储成本近乎翻倍，导入长鑫用于分散供应链风险、对冲涨价压力；报告判断 2026-2027 年长鑫难以撼动全球存储定价格局，2028 年大规模扩产之后才具备全球竞争力。
二、A 股存储产业链分层受益标的（涨价弹性排序）
1、存储芯片设计 & 原厂（业绩弹性最大）
- 兆易创新：国内 DRAM、NOR Flash 设计龙头，现货库存充足，涨价周期产品 ASP 持续上行，深度绑定服务器、消费电子客户，直接受益涨价红利；同步布局车规、算力存储配套。
- 北京君正：DRAM 模组 + 存储芯片双布局，工业级、车规级存储溢价更强，下游客户分散，量价齐升确定性高。
- 深科技：长鑫存储核心封测代工厂，深度绑定国内 DRAM 原厂产能，封测稼动率持续拉满，产能利用率上行叠加封测提价双重收益。
2、存储模组厂商（贸易 + 库存增值）
- 江波龙：企业级、消费级内存条、SSD 龙头，海内外渠道完善，自有库存随涨价重估，服务器存储模组订单快速放量。
- 佰维存储：AI 服务器、工控存储小模组配套厂商，小批量高端产品溢价能力更强。
- 朗科科技：存储模组 + 闪存盘现货贸易，库存增值弹性突出。
3、存储上游材料 & 设备（长鑫扩产资本开支受益）
- 雅克科技：HBM 配套光刻配套材料、电子特气，长鑫、三星、海力士核心供应商，存储扩产持续拉动订单。
- 安集科技：CMP 抛光液，DRAM 先进制程必备耗材。
- 万润股份、鼎龙股份：光刻配套、电子化学品配套存储晶圆制造。
- 北方华创、中微公司：刻蚀、薄膜设备，长鑫后续扩产 CAPEX 核心受益。
4、HBM 高附加值配套（算力存储核心增量）
- 香农芯创：SK 海力士国内总代理，HBM、高端 DRAM 分销龙头，深度受益 AI 服务器存储紧缺行情。
- 华海诚科：HBM 封装专用 GMC 环氧塑封料，HBM 堆叠封装刚需材料。
三、行情节奏预判
- 短期（2026 Q3）：现货涨价落地，存储模组、芯片设计标的迎来戴维斯双击，库存重估 + 产品提价兑现利润；
- 中期（2026 Q4-2027 全年）：涨价趋势延续，上游设备、材料受益长鑫逆周期扩产逻辑；HBM 高附加值产品持续放量，算力存储细分超额收益更强；
- 长期（2028 年）：新增产能释放，行业景气度边际放缓，龙头集中度进一步提升。
四、核心风险提示
- 三大存储原厂大幅重启扩产，供给超预期缓解，打断涨价周期；
- AI 资本开支不及预期，服务器存储需求走弱；
- 地缘政策变动，长鑫存储产能释放节奏大幅变化；
- 消费电子终端需求持续低迷，下游客户主动去库存，压制现货涨价幅度。
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