美银报告：存储行业投资转向，HBM降温价格分化藏回调风险
⚠️ 风险提示：本站内容来源于互联网，不代表平台观点，请独立判断和决策，市场有风险，据此操作风险自担。
报告核心：存储行业投资逻辑正从“AI狂热”转向“结构性分化”美银（BofA）这份于2026年4月发布的周报指出，全球存储行业正出现关键趋势转变。一、HBM热度降温，资本重回传统存储存储芯片制造商对高带宽内存（HBM）的扩产热情显著下降，原因有三：利润率对比：传统DRAM（尤其是LPDDR5）的盈利能力已反超HBM。订单增长放缓：下一代HBM4的订单增长略有放缓。技术路径变化：AI推理越来越多地使用 ...
报告核心：存储行业投资逻辑正从“AI狂热”转向“结构性分化”
美银（BofA）这份于2026年4月发布的周报指出，全球存储行业正出现关键趋势转变。
一、HBM热度降温，资本重回传统存储
存储芯片制造商对高带宽内存（HBM）的扩产热情显著下降，原因有三：
- 利润率对比：传统DRAM（尤其是LPDDR5）的盈利能力已反超HBM。
- 订单增长放缓：下一代HBM4的订单增长略有放缓。
- 技术路径变化：AI推理越来越多地使用基于NAND闪存的KV缓存，降低了对HBM的绝对依赖。
- 因此，部分原计划用于HBM的资本支出，正被重新分配到利润更丰厚的传统DRAM和NAND产能上。同时，由于现货价格持续上涨，厂商对签订可能锁定利润上限的长期协议（LTA）兴趣减弱。
二、价格分化显著，高位回调风险累积
市场出现明显分化：DDR4因价格溢价过高，现货价单周暴跌5-8%，需求疲软；而DDR5凭借更高规格和更低价格保持稳定，正加速成为主流。NAND价格则处于历史异常高位，报告明确警告其价格“异常高”，预计2026年下半年有大幅回调压力。当前DRAM/NAND价格均处于25年来最高水平，需警惕周期拐点。
风险提示：本平台信息来源于大数据及网络，包括AI及网友发布，内容不完全属实。仅供学习研究，不构成投资依据，请投资者注意风险，据此交易盈亏自负。
相关舆情
-
韩美峰会半导体合作完整复盘一、整体合作规模：韩美企业本次产业合作总规模9500 亿美元，全部围绕 AI 算力、HBM 存储、数据中心、AI 模型产业链展开，分为 SK 集团、三星电子、其余韩企三大合作板块。二、韩企与美企合作协议核心内容1.SK 集团 × 英伟 ...
-
下周美国市场将同步迎来 FOMC 议息会议、多家大型科技公司财报密集披露窗口。关键时间节点（美国当地时间）7 月 28 日 - 29 日：美联储 FOMC 议息会议召开7 月 29 日：微软、Meta 发布季度财报7 月 30 日：亚马逊、苹果发布季度财报谷歌 ...
-
韩国股市外资回流 + 存储芯片行情完整深度梳理一、盘面核心数据：外资创历史级单周净流入，指数大涨突破支撑行情表现：韩国 KOSPI 单日大涨 4.4%，站稳 7000 点整数关口；外资连续 4 日净买入，本周合计净流入 38 亿美元，刷新历史单周外资买入纪录。 ...
