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2026年存储产业爆发:NAND需求激增,国产替代加速,核心企业收益可期

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重申观点:AI拉动存储需求,2026年超级大年,随之衍生的上游设备、材料亦同样值得重视NAND起涨,2026年迎超级周期:北美几大云厂商从HHD(机械硬盘)向SSD(固态硬盘)切换趋势明确,拉动NAND(闪存)缺货、eSSD开始涨价。闪迪报价涨15%、三星报价涨20%国内云厂建设有望加速,国产存储替代需求迎来快速增长,国产存储需求放量也才刚刚开始!eSSD模组厂德明利、江波龙,RDIMM内存厂开普 ...

重申观点:AI拉动存储需求,2026年超级大年,随之衍生的上游设备、材料亦同样值得重视

NAND起涨,2026年迎超级周期:

北美几大云厂商从HHD(机械硬盘)向SSD(固态硬盘)切换趋势明确,拉动NAND(闪存)缺货、eSSD开始涨价。闪迪报价涨15%、三星报价涨20%

国内云厂建设有望加速,国产存储替代需求迎来快速增长,国产存储需求放量也才刚刚开始!

eSSD模组厂德明利、江波龙,RDIMM内存厂开普云、香农芯创均是受益标的。其中德明利eSSD占比高、增速快,是绝对中军。

存储缺货或带动原厂扩产、设备材料受益:

NAND缺货,有望带动原厂扩产,海外设备厂,存储收入占比较高的LAM/泰瑞达/爱德万涨幅领先,而含“存”量低的AMAT等涨幅一般。

从供需看,国内存储扩产理应更加积极!国产NAND产能远远落后全球,国产产能仅占全球1/10、需求占1/3,国内NAND厂商扩产动力更足、扩产至少2-3倍现有规模。

今年以来,受IPO规划;制程迭代影响,两存扩产较缓,近期长存三期设立;长鑫IPO在即或成为积极扩产的信号。

存储工艺变化带动刻蚀、薄膜、CMP需求:

存储相对逻辑,对于刻蚀、薄膜需求更多样化(高深宽比、高选择比、ONON等),对于刻蚀设备、薄膜设备的需求也更多。

受先进光刻机进口限制,国产DRAM工艺或需要多重曝光工艺解决,对于刻蚀次数需求更多。

HBM、HBF、WOW等堆叠存储方案的出现,对于CMP工艺、测试需求更多,带动CMP设备材料、测试设备增长。

建议:重视存储大周期+上游扩产浪潮

核心企业:

存储模组厂:德明利、江波龙、开普云、香农芯创等

含“存”量高:中微公司、拓荆科技、华海清科、北方华创等

存储测试设备:精智达(测试机)、矽电股份(探针台)、金海通(分选机)等

材料环节:雅克科技、鼎龙股份、安集科技等


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