刻蚀设备重要性提升，英特尔高管称刻蚀技术将取代光刻
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根据Wccftech报道，英特尔高管表示，未来晶体管设计可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖，而刻蚀技术将取代光刻成芯片制造核心。随着当前半导体的器件设计和整体设计均在走向立体结构化，这种变化正在发生。至少以下三方面的技术趋势，将推动刻蚀设备的用量和重要性提升：1）光刻多重图案化路线的采用——当前EUV光刻技术路线受限，DUV多重图案化成为国产突围关键，带动刻蚀设备用量成倍提 ...
根据Wccftech报道，英特尔高管表示，未来晶体管设计可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖，而刻蚀技术将取代光刻成芯片制造核心。
随着当前半导体的器件设计和整体设计均在走向立体结构化，这种变化正在发生。
至少以下三方面的技术趋势，将推动刻蚀设备的用量和重要性提升：
1）光刻多重图案化路线的采用——当前EUV光刻技术路线受限，DUV多重图案化成为国产突围关键，带动刻蚀设备用量成倍提升；
2）三维堆叠存储和近存计算需求——存储层数提升扩大刻蚀用量，近存计算增加TSV刻蚀需求；
3）底层晶体管结构升级：先进制程GAA晶体管导入，带动刻蚀设备占比提升，新增原子层刻蚀设备需求。
长期看，半导体设备国产化方向明确：一方面，国内晶圆厂在全球市占率从10%若提升到自给自足情形下30%，有3倍扩产空间；另一方面，设备国产化率从当前20%若提升至未来60%～100%，有3～5倍空间，发展趋势明确。
短期来看， 2025年国内半导体晶圆厂投资表现相对平淡。
中长期来看，年底到明年随着国内头部存储厂商新一期项目有望启动、且先进逻辑厂商加大扩产力度，半导体设备有望进入新一轮快速增长期。
将为国产刻蚀设备及零部件厂商打开长期成长空间。
半导体刻蚀设备以及相关的配套设备及零部件环节：
1）刻蚀设备国内核心厂商：中微公司、北方华创、屹唐股份，直接受益于刻蚀用量提升；
2）相关配套设备厂商：京仪装备，其温控设备用量与刻蚀设备数量密切相关，同时新一代超低温温控将带来约3倍价值量提升；
3）刻蚀设备相关的零部件环节：利和兴、富创精密、珂玛科技等，均为前述设备厂商的零部件供应商。
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